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광범위하게 응용될 수 있는 반도체 나노와이어의 탄생!

특허 번호 10-2024-0033486

고분자 멤브레인과 귀금속 촉매를 이용한 반도체 나노와이어 구조체 제조기술

적용분야

유기태양전지
투명전극(센서)
고분자반도체

기술 개요


  • •  반도체 나노와이어 분야는 전자적, 화학적, 광학적, 열적으로 우수한

        특성을 가지기 때문에 FET, 화학센서, 바이오센서, 환경센서 등

        다양한 산업에 응용될 것으로 기대됨

     

    •  실리콘 나노와이어는 차세대 배터리, CMOS 트랜지스터, 열전 소자,

        태양 전지, 발광 소재, 바이오센서 등 다양한 분야 핵심 소재임

     

    •  실리콘 나노와이어의 특성은 크기에 따라 달라지며, 나노 구조물을

        작게 만들수록 더 높은 성능을 발휘할 수 있음

대표 Diagram


Keywords


  • 반도체
  • 재료
  • 2차전지

종래기술


  • •  반도체 나노와이어 제조방법은 상향식(Bottom-up) 방법과

        하향식(Top-down) 방법이 있음

     

    •  상향식 방법은 비교적 쉽게 다량으로 제조할 수 있으며,

        하향식 방법은 나노와이어의 위치와 형태를 비교적 쉽게

        제어할 수 있고 재현성이 높음

대상기술


  • •  기능성 금속-고분자 복합체는 마이크로전자공학, 광전자공학,

        플라즈모닉스 및 바이오센서를 포함한 광범위한 응용 분야 존재

     

    •  고분자 필름 내부의 물리적 증착된 금속 원자의 확산도

        광범위하게 연구개발 중이며, 다양한 확산 메커니즘 제안

종래 기술의 한계


  • •  상향식 방법의 경우 나노와이어의 위치와 형태를 제어하는 데

        많은 제약이 있으며, 재현성이 낮음

     

    •  하향식 방법은 다량의 나노와이어의 제조가 어려우며,

        수나노미터 크기 영역에서 매우 작은 직경의 나노와이어를 만들어

        가이드 패턴의 해상도를 낮추는 것이 어려움

대상기술의 경쟁력


  • •  멤브레인을 통한 금속 촉매의 확산 경로를 엔지니어링하며

        서브나노미터에서 수십나노미터에 이르는 반도체 나노구조체 형성

     

    •  고분자 멤브레인과 귀금속 촉매를 이용하여 탑다운 방식으로

        제어하면서 반도체 나노와이어 구조체를 제조하는 방법 개발

연구자 정보


부산대학교 재료공학부 남태원 교수

지식재산권 현황

발명의 명칭 출원(등록)번호 출원(등록)일자
고분자 멤브레인을 이용한 반도체 나노와이어 구조체의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 반도체 나노와이어 10-2024-0033486 2024. 3. 8.

기술문의


부산대학교 산학협력단 기술사업부 윤재철 jcyun@pusan.ac.kr

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