기술 개요

• •  반도체 나노와이어 분야는 전자적, 화학적, 광학적, 열적으로 우수한

      특성을 가지기 때문에 FET, 화학센서, 바이오센서, 환경센서 등

      다양한 산업에 응용될 것으로 기대됨

   

  •  실리콘 나노와이어는 차세대 배터리, CMOS 트랜지스터, 열전 소자,

      태양 전지, 발광 소재, 바이오센서 등 다양한 분야 핵심 소재임

   

  •  실리콘 나노와이어의 특성은 크기에 따라 달라지며, 나노 구조물을

      작게 만들수록 더 높은 성능을 발휘할 수 있음

종래기술

• •  반도체 나노와이어 제조방법은 상향식(Bottom-up) 방법과

      하향식(Top-down) 방법이 있음

   

  •  상향식 방법은 비교적 쉽게 다량으로 제조할 수 있으며,

      하향식 방법은 나노와이어의 위치와 형태를 비교적 쉽게

      제어할 수 있고 재현성이 높음

대상기술

• •  기능성 금속-고분자 복합체는 마이크로전자공학, 광전자공학,

      플라즈모닉스 및 바이오센서를 포함한 광범위한 응용 분야 존재

   

  •  고분자 필름 내부의 물리적 증착된 금속 원자의 확산도

      광범위하게 연구개발 중이며, 다양한 확산 메커니즘 제안

종래 기술의 한계

• •  상향식 방법의 경우 나노와이어의 위치와 형태를 제어하는 데

      많은 제약이 있으며, 재현성이 낮음

   

  •  하향식 방법은 다량의 나노와이어의 제조가 어려우며,

      수나노미터 크기 영역에서 매우 작은 직경의 나노와이어를 만들어

      가이드 패턴의 해상도를 낮추는 것이 어려움

대상기술의 경쟁력

• •  멤브레인을 통한 금속 촉매의 확산 경로를 엔지니어링하며

      서브나노미터에서 수십나노미터에 이르는 반도체 나노구조체 형성

   

  •  고분자 멤브레인과 귀금속 촉매를 이용하여 탑다운 방식으로

      제어하면서 반도체 나노와이어 구조체를 제조하는 방법 개발

연구자 정보

부산대학교 재료공학부 남태원 교수